[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110429021.5 | 申请日： | 2021-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113783159A | 公开（公告）日： | 2021-12-10 |
| 发明（设计）人： | 佐藤宪一郎 | 申请（专利权）人： | 富士电机株式会社 |
| 主分类号： | H02H3/04 | 分类号： | H02H3/04;H02H3/08;H02H3/24;H02H5/04;H02H7/10;G01K1/02;G01R19/175 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 周爽;金玉兰 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置，不增加输出端子而能区别输出警报信号和警告信号。控制电路(30a)有控制电压降低检测电路(32)、过电流检测电路(33)和芯片温度检测电路(34)作为警报检测电路，检测到警报时，警报信号生成电路(35)对每个警报因素生成脉冲宽度不同的单次警报信号ALM，经或电路(50)和MOSFET(36a)从警报信号输出端子(43a)输出。控制电路(30a)还有温度警告检测电路(39)作为警告检测电路，该温度警告检测电路(39)检测到功率半导体元件(20)的芯片温度上升时，脉冲生成电路(49)生成警告信号WNG，经或电路(50)和MOSFET(36a)从警报信号输出端子(43a)输出。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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