[发明专利]半导体装置在审
申请号: | 202110429021.5 | 申请日: | 2021-04-21 |
公开(公告)号: | CN113783159A | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 佐藤宪一郎 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H02H3/04 | 分类号: | H02H3/04;H02H3/08;H02H3/24;H02H5/04;H02H7/10;G01K1/02;G01R19/175 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 周爽;金玉兰 |
地址: | 日本神奈*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置,其特征在于,具备:
功率半导体元件;
控制电路,其具有驱动所述功率半导体元件的栅极控制电路、检测所述功率半导体元件的异常的警报检测电路、在由所述警报检测电路检测到警报时停止所述栅极控制电路而保护所述功率半导体元件的保护电路、以及在由所述警报检测电路检测到警报时针对每个警报因素生成脉冲宽度不同的单次的警报信号的警报信号生成电路;以及
警报信号输出端子,其输出所述警报信号,
所述控制电路具备:
警告检测电路,其能够检测在比检测出所述警报的时刻更早的时刻检测出的警告;以及
脉冲生成电路,其在通过所述警告检测电路检测到警告的期间,生成由连续脉冲构成的警告信号,所述警告信号的脉冲宽度比所述警报信号的脉冲宽度窄,
所述半导体装置从所述警报信号输出端子输出所述脉冲生成电路所生成的警告信号。
2.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,所述警告信号的脉冲宽度比所述警报信号的脉冲宽度的下限值还小。
3.根据权利要求1所述的半导体装置,其特征在于,在所述控制电路具有多个所述警告检测电路时,所述脉冲生成电路针对每个警告的因素将所述警告信号设为不同的脉冲宽度。
4.根据权利要求3所述的半导体装置,其特征在于,在多个所述警告检测电路同时检测到警告的情况下,所述脉冲生成电路按照预先确定的优先次序输出一个所述警告检测电路的所述警告信号。
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