[发明专利]一种氮化硅单晶及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 202110428782.9 | 申请日： | 2021-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113122925B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 王钰宁;徐俞;王建峰;徐科 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B25/18 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氮化硅单晶及其制备方法与应用。所述制备方法包括：采用外延生长的方法在SiC衬底上直接外延生长作为插入层的多层石墨烯，制得石墨烯/SiC衬底；以及，将所述石墨烯/SiC衬底置于外延生长设备的反应腔室中，向所述反应腔室内通入气相氮源并进行外延生长，从而制得氮化硅单晶。本发明制备氮化硅单晶的方法无需额外加入硅源，步骤简单，操作安全，可与石墨烯一起进行剥离和转移；同时本发明制备的氮化硅单晶颗粒均一性高，质量良好，残余应力小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 硅单晶 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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