[发明专利]一种钙钛矿发光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110428625.8 申请日: 2021-04-21
公开(公告)号: CN113161506B 公开(公告)日: 2022-11-01
发明(设计)人: 秦川江;张德重 申请(专利权)人: 中国科学院长春应用化学研究所
主分类号: H01L51/54 分类号: H01L51/54;H01L51/56
代理公司: 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 代理人: 周蕾
地址: 130022 吉林*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 发明提供一种钙钛矿发光二极管及其制备方法,属于发光二极管技术领域。本发明的钙钛矿发光二极管从下至上依次包括:具有ITO导电薄膜的玻璃衬底;空穴传输层;纳米粒子和/或穴醚掺杂的准二维钙钛矿发光层;电子传输层;修饰层;电极。本发明还提供了所述钙钛矿发光二极管的制备方法。本发明的钙钛矿发光二极管的发光层为纳米粒子和/或穴醚掺杂的准二维钙钛矿薄膜,通过掺杂可以使准二维钙钛矿薄膜中的结构阶数分布变窄,减少较低或较高阶数相的出现,从而抑制薄膜内部的非辐射复合;基于该机理,最终获得具有更高外量子效率(EQE)的发光二极管器件。
搜索关键词: 一种 钙钛矿 发光二极管 及其 制备 方法
【主权项】:
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