[发明专利]一种钙钛矿发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 202110428625.8 | 申请日： | 2021-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113161506B | 公开（公告）日： | 2022-11-01 |
| 发明（设计）人： | 秦川江;张德重 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春应用化学研究所 |
| 主分类号： | H01L51/54 | 分类号： | H01L51/54;H01L51/56 |
| 代理公司： | 长春众邦菁华知识产权代理有限公司 22214 | 代理人： | 周蕾 |
| 地址： | 130022 吉林*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钙钛矿 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
1.一种钙钛矿发光二极管，从下至上依次包括：
具有ITO导电薄膜(2)的玻璃衬底(1)；
空穴传输层(3)；
钙钛矿发光层(4)；
电子传输层(5)；
修饰层(6)；
电极(7)；
其特征在于，
所述钙钛矿发光层(4)为纳米粒子和穴醚掺杂的准二维钙钛矿薄膜、或者为穴醚掺杂的准二维钙钛矿薄膜。
2.根据权利要求1所述的钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述钙钛矿发光层(4)为PEA2FAn-1PbnBr3n+1，其中PEA为苯乙胺，FA为甲脒，n为准二维钙钛矿结构阶数，n值为3～8；掺入的纳米粒子为晶粒直径为10～50nm的ZrO2、TiO2、ZnO、SnO2、NiO或SrTiO3；穴醚为4,7,13,16,21,24-六氧-1,10-二氮双环[8.8.8]二十六烷或4,7,13,16,21-五氧-1,10-二氮二环[8.8.5]二十三烷。
3.根据权利要求1所述的钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述空穴传输层(3)为PVK。
4.根据权利要求1所述的钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述电子传输层(5)为TPBi。
5.根据权利要求1所述的钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述修饰层(6)为LiF。
6.根据权利要求1所述的钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述电极(7)为Al。
7.根据权利要求1所述的钙钛矿发光二极管，其特征在于，所述ITO导电薄膜(2)的厚度为80～150nm，空穴传输层(3)的厚度为20～40nm，钙钛矿发光层(4)的厚度为30～150nm，电子传输层(5)的厚度为30～60nm，修饰层(6)的厚度为0.8～1.6nm，电极(7)的厚度为80～120nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
