[发明专利]一种CdZnTe辐射探测器

摘要

本发明公开一种CdZnTe辐射探测器，涉及辐射探测技术领域，以解决由于CdZnTe晶体周边端面残留缺陷的影响而导致的电荷收集效率低的问题。所述CdZnTe辐射探测器包括柱状的CdZnTe晶体，一个底面上设置有阳极，另一个底面上设置有阴极，每一侧面对应的位置处均设置有N型重掺杂区，或者每一侧面均被绝缘层所覆盖，绝缘层上设置有金属电极，金属电极加负偏压，从而能够在周边端面上形成空间电荷区，阻止电子载流子向周边端面扩散，提高电荷收集效率。本发明提供的一种CdZnTe辐射探测器用于辐射探测。