[发明专利]一种CdZnTe辐射探测器在审
| 申请号： | 202110410272.9 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113140642A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 胡海帆;秦秀波;赵宏鸣;刘鹏浩;李志垚;马喆;毛磊 | 申请（专利权）人： | 中国航天科工集团第二研究院 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224;H01L31/0352;H01L31/036;H01L31/115 |
| 代理公司： | 中国航天科工集团公司专利中心 11024 | 代理人： | 张国虹 |
| 地址： | 100854 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 cdznte 辐射 探测器 | ||
1.一种CdZnTe辐射探测器，其特征在于，包括CdZnTe晶体；
所述CdZnTe晶体为柱状，所述CdZnTe晶体为本征态或P型半导体；所述CdZnTe晶体的一个底面上设置有阳极，另一个底面上设置有阴极，每一侧面对应的位置处均设置有N型重掺杂区；所述N型重掺杂区为通过所述侧面向所述CdZnTe晶体内掺入杂质离子而形成的。
2.根据权利要求1所述的一种CdZnTe辐射探测器，其特征在于，每一侧面对应的位置处均设置有一个N型重掺杂区，所述N型重掺杂区覆盖所述侧面。
3.根据权利要求1所述的一种CdZnTe辐射探测器，其特征在于，每一侧面对应的位置处均设置有多个间隔的N型重掺杂区，多个所述N型重掺杂区所组成的空间电荷区的范围覆盖所述侧面。
4.一种CdZnTe辐射探测器，其特征在于，包括CdZnTe晶体；
所述CdZnTe晶体为柱状；所述CdZnTe晶体的一个底面上设置有阳极，另一个底面上设置有阴极，每一侧面均被绝缘层所覆盖，所述绝缘层上设置有金属电极，所述金属电极加负偏压。
5.根据权利要求4所述的一种CdZnTe辐射探测器，其特征在于，所述绝缘层上设置有一个金属电极，所述金属电极覆盖所述绝缘层。
6.根据权利要求4所述的一种CdZnTe辐射探测器，其特征在于，所述绝缘层上设置有多个间隔的金属电极，多个所述金属电极所组成的空间电荷区的范围覆盖所述绝缘层。
7.根据权利要求6所述的一种CdZnTe辐射探测器，其特征在于，多个所述金属电极加相同或不同的负偏压。
8.根据权利要求7所述的一种CdZnTe辐射探测器，其特征在于，按照从阳极到阴极这一方向上所述金属电极的排列顺序，多个所述金属电极所加的负偏压依次增加。
9.根据权利要求1或4所述的一种CdZnTe辐射探测器，其特征在于，记设置有所述阳极的底面为阳极面，所述阳极面上设置有多个间隔排列的阳极。
10.根据权利要求9所述的一种CdZnTe辐射探测器，其特征在于，多个所述阳极沿所述阳极面的边长方向进行排列。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
