[发明专利]半导体结构以及半导体结构的制造方法有效
| 申请号： | 202110409620.0 | 申请日： | 2021-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN113764524B | 公开（公告）日： | 2023-07-04 |
| 发明（设计）人： | 何昆政;陈旷举;刘汉英 | 申请（专利权）人： | 新唐科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 王涛;任默闻 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请提供一种半导体结构的制造方法，包含以下步骤：提供基底；形成沟槽于基底中；形成第一氧化层以及第一多晶硅元件于沟槽中，其中第一多晶硅元件与基底之间具有开口；形成第二氧化层覆盖基底以及第一多晶硅元件；形成氮化层于第一氧化层以及该第二氧化层上；移除位于开口底部的氮化层的一部分，以暴露出第一氧化层的顶表面的一部分；移除位于开口下方的第一氧化层的一部分，以形成凹陷部，其中该凹陷部暴露出第一多晶硅元件的一部分；实行热氧化工艺，使第二氧化层延伸覆盖经暴露的第一多晶硅元件的一部分，并使该凹陷部具有一圆角；移除氮化层；以及形成第二多晶硅元件于开口以及凹陷部中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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