[发明专利]半导体结构以及半导体结构的制造方法

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供一基底；

形成一沟槽于所述基底中；

形成一第一氧化层以及一第一多晶硅元件于所述沟槽中，其中所述第一多晶硅元件与所述基底之间具有一开口；

形成一第二氧化层覆盖所述基底以及所述第一多晶硅元件；

形成一氮化层于所述第一氧化层以及所述第二氧化层上；

移除位于所述开口底部的所述氮化层的一部分，以暴露出所述第一氧化层的一顶表面的一部分；

移除位于所述开口下方的所述第一氧化层的一部分，以形成一凹陷部，其中所述凹陷部暴露出所述第一多晶硅元件的一部分；

实行一热氧化工艺，使所述第二氧化层延伸覆盖经暴露的所述第一多晶硅元件的一部分，并使所述凹陷部具有一圆角；

移除所述氮化层；以及

形成一第二多晶硅元件于所述开口以及所述凹陷部中。

2.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，于移除位于所述开口底部的所述氮化层的一部分的步骤之前，其特征在于，更包括：

形成一遮罩层于所述氮化层的一部分上，其中所述遮罩层延伸于所述沟槽中且部分地填充所述开口。

3.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述遮罩层形成于所述沟槽的一侧表面上但未形成于所述第一多晶硅元件的一侧表面上。

4.根据权利要求2所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，所述开口具有一第一宽度，所述遮罩层于所述开口中具有一第二宽度，其中所述第二宽度与所述第一宽度的比值介于0.3至0.7之间。

5.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，于移除所述氮化层的步骤之后且于形成所述第二多晶硅元件于所述开口以及所述凹陷部中的步骤之前，其特征在于，更包括：

移除覆盖所述基底的所述第二氧化层的一部分，但保留覆盖所述第一多晶硅元件的所述第二氧化层的一部分；以及

形成一第三氧化层于所述基底上，且所述第三氧化层延伸于所述沟槽之中。

6.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，其特征在于，移除位于所述开口底部的所述氮化层的一部分的步骤亦移除位于所述第一多晶硅元件的一顶表面上的所述氮化层的一部分。

7.根据权利要求1所述的半导体结构的制造方法，于移除位于所述开口下方的所述第一氧化层的一部分的步骤之后，其特征在于，所述氮化层突出于所述凹陷部且悬垂于所述凹陷部上。

8.一种半导体结构，其特征在于，包括：

一基底，所述基底具有一沟槽；

一第一氧化层，设置于所述沟槽的底部，其中所述第一氧化层具有一凹陷部，所述凹陷部具有一圆角；

一第一多晶硅元件，设置于所述沟槽中且部分地设置于所述第一氧化层中；

一第二氧化层，覆盖所述第一多晶硅元件且与所述第一氧化层接触；以及

一第二多晶硅元件，设置于所述基底与所述第一多晶硅元件之间，且填充于所述第一氧化层的所述凹陷部中。

9.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，所述第一氧化层与所述第一多晶硅元件的一下部接触，且所述第二氧化层与所述第一多晶硅元件的一上部接触。

10.根据权利要求8所述的半导体结构，其特征在于，更包括一第三氧化层，设置于所述基底上且延伸于所述沟槽之中。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第二多晶硅元件的一底表面在靠近所述第一多晶硅元件处具有第一高度，所述第二多晶硅元件的所述底表面在靠近所述第三氧化层处具有第二高度，其中所述第一高度大于所述第二高度。

12.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述第二氧化层的一顶表面高于所述第三氧化层的一顶表面。