[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法在审
| 申请号： | 202110404325.6 | 申请日： | 2020-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN113130645A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 郝荣晖;陈扶;何川;黄敬源 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 氮化物型的半导体器件包括衬底、缓冲体、第一氮化物半导体层、屏蔽层、第二氮化物半导体层、一对源极/漏极电极和栅极电极。缓冲体设置在衬底上。第一氮化物半导体层设置在缓冲体上，并与缓冲体形成第一界面。屏蔽层包括第一隔离化合物，并插入在缓冲体和第一氮化物半导体层之间，其中第一隔离化合物具有的带隙大于缓冲体的带隙和大于第一氮化物半导体层的带隙，以在缓冲体和第一氮化物半导体层之间形成至少一电气隔离区域。第二氮化物半导体层设置在第一氮化物半导体层上，且具有的带隙小于第一隔离化合物的带隙并大于第一氮化物半导体层的带隙。源极/漏极电极和栅极电极设置在第二氮化物半导体层上。栅极电极位在源极/漏极电极之间。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 以及 制造 方法 | ||
【主权项】：
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