[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法

权利要求书

1.一种氮化物型的半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

缓冲体，设置在所述衬底上；

第一氮化物半导体层，设置在所述缓冲体上，并与所述缓冲体形成第一界面；

屏蔽层，包括第一隔离化合物，并插入在所述缓冲体和所述第一氮化物半导体层之间，其中所述第一隔离化合物具有的带隙大于所述缓冲体的带隙和大于所述第一氮化物半导体层的带隙，以在所述缓冲体和所述第一氮化物半导体层之间形成至少一电气隔离区域；

第二氮化物半导体层，设置在所述第一氮化物半导体层上，且具有的带隙小于所述第一隔离化合物的带隙并大于所述第一氮化物半导体层的带隙；以及

一对源极/漏极电极和栅极电极，设置在所述第二氮化物半导体层上，其中所述栅极电极位在所述源极/漏极电极之间。

2.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一界面的位置低于所述屏蔽层的最顶表面。

3.如权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，所述屏蔽层与所述缓冲体的最顶部形成第二界面。

4.如权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述屏蔽层的所述最顶表面与所述第一氮化物半导体层的最底部形成第三界面，且所述屏蔽层具有侧壁，其与所述第一氮化物半导体层的所述最底部形成第四界面。

5.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一氮化物半导体层向下延伸至所述缓冲体的最顶表面，以形成所述第一界面。

6.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述屏蔽层具有多个隔离岛，其由所述缓冲体和所述第一氮化物半导体层包围。

7.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，所述第一氮化物半导体层向下延伸，以完全填充所述隔离岛之间的间隔。

8.如权利要求6所述的半导体器件，其特征在于，每个所述隔离岛与所述第一氮化物半导体层具有第一界面区域，每个所述隔离岛与所述缓冲体具有第二界面区域，且所述第一界面区域大于所述第二界面区域。

9.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述第一氮化物半导体层向下延伸，以穿过所述屏蔽层，从而与所述缓冲体形成所述第一界面。

10.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，沿垂直于所述衬底的方向看向所述屏蔽层，其具有围绕所述缓冲体的至少一内边界。

11.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述缓冲体包括至少一层的掺杂氮化物半导体化合物，其位于所述缓冲体的最顶部，其中所述掺杂氮化物半导体化合物的至少一掺杂剂选自碳、硅、锗或锡中的一种或多种，且所述屏蔽层与所述掺杂氮化物半导体化合物接触。

12.如权利要求11所述的半导体器件，其特征在于，所述缓冲体的所述掺杂氮化物半导体化合物为碳掺杂氮化镓。

13.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述屏蔽层的厚度在1纳米到100纳米之间。

14.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

钝化层，设置在所述栅极电极上，并且包括第二隔离化合物，其不含金属元素，而所述第一隔离化合物包括至少一金属元素。

15.如权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，还包括：

钝化层，设置在所述栅极电极上，并且包括第二隔离化合物，其具有的组份与所述第一隔离化合物相同。