[发明专利]高纯氧化亚氮在制备太阳能电池片中的应用有效
申请号: | 202110397314.X | 申请日: | 2021-04-14 |
公开(公告)号: | CN112802927B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 甘华平;秦远望;李涛;陈跃 | 申请(专利权)人: | 浙江陶特容器科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B01D53/02;B01D53/62;B01D53/81;C01B21/22;C01B37/00;C01B39/02;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/50;C08G65/40;C08G65/48 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 314400 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: |
本发明涉及太阳能电池技术领域,公开了高纯氧化亚氮在制备太阳能电池片中的应用,包括以下步骤:对氧化亚氮原料气进行压缩后,依次经活化后的13X‑APG分子筛、4A分子筛、改性分子筛吸附除杂,获得高纯氧化亚氮;所述改性分子筛为负载有金属氧化物的分子筛,所述金属氧化物为氧化钠、氧化钾和氧化锂中的一种或多种;硅片经预处理后,依次沉积SiO |
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搜索关键词: | 高纯 氧化亚氮 制备 太阳能电池 中的 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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