[发明专利]高纯氧化亚氮在制备太阳能电池片中的应用有效
申请号: | 202110397314.X | 申请日: | 2021-04-14 |
公开(公告)号: | CN112802927B | 公开(公告)日: | 2021-08-17 |
发明(设计)人: | 甘华平;秦远望;李涛;陈跃 | 申请(专利权)人: | 浙江陶特容器科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B01D53/02;B01D53/62;B01D53/81;C01B21/22;C01B37/00;C01B39/02;C23C16/34;C23C16/40;C23C16/50;C08G65/40;C08G65/48 |
代理公司: | 杭州杭诚专利事务所有限公司 33109 | 代理人: | 尉伟敏 |
地址: | 314400 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高纯 氧化亚氮 制备 太阳能电池 中的 应用 | ||
1.高纯氧化亚氮在制备太阳能电池片中的应用,其特征在于,包括以下步骤:
S1:氧化亚氮的纯化:对氧化亚氮原料气进行压缩后,依次经活化后的13X-APG分子筛、4A分子筛、改性分子筛吸附除杂,获得高纯氧化亚氮;所述改性分子筛为负载有金属氧化物的分子筛,所述金属氧化物以金属氧化物@壳层聚合物粒子的形式负载在分子筛中;所述金属氧化物为氧化钠、氧化钾和氧化锂中的一种或多种;所述壳层聚合物包括聚碳酸酯;所述改性分子筛的活化温度高于聚碳酸酯的熔点;
S2:硅片PECVD镀膜:硅片经预处理后,以高纯氧化亚氮和硅烷为气源,沉积SiOx膜;再以氨气和硅烷为气源,沉积SixNy膜;
S3:制备太阳能电池片:将镀膜后的硅片印刷正电极和背电极后,烧结,制得太阳能电池硅片。
2.如权利要求1所述的应用,其特征在于,所述聚碳酸酯的熔点为220~230℃;所述改性分子筛的活化温度为250~300℃。
3.如权利要求1所述的应用,其特征在于,所述壳层聚合物还包括改性聚醚醚酮;所述改性聚醚醚酮为含有硅氧烷基的聚醚醚酮;所述改性聚醚醚酮与聚碳酸酯的质量比为1:18~23。
4.如权利要求3所述的应用,其特征在于,所述改性聚醚醚酮的制备方法如下:
(i)制备聚醚醚酮:在惰性气体保护下,将质量比为1:0.7~0.8:0.08~0.12的1,3-二(4-氟苯甲酰)苯、双酚AF、2-氨基-1,4-二羟基苯加入环丁砜中,在130~140℃下反应2~3h,再依次升温至170~180℃、210~220℃各反应1~2h,去除环丁砜,获得聚醚醚酮;
(ii)接枝硅烷偶联剂:将聚醚醚酮溶于四氢呋喃中,加入硅烷偶联剂KH-570,所述聚醚醚酮与硅烷偶联剂KH-570的质量比为35~40:1,在70~80℃下搅拌反应2~3h,去除四氢呋喃,获得改性聚醚醚酮。
5.如权利要求1或3所述的应用,其特征在于,所述改性分子筛的制备方法如下:
(I)金属氧化物预处理:将壳层聚合物分散到无水四氢呋喃中,制得包覆液;在惰性气体保护下,将纳米级金属氧化物分散到无水四氢呋喃中,所述壳层聚合物与金属氧化物的质量比为7~10:1,制得金属氧化物分散液;在惰性气体保护下,边搅拌边将包覆液逐滴加入金属氧化物分散液中,加完后继续搅拌0.5~1h;旋蒸去除四氢呋喃,粉碎后获得纳米级的金属氧化物@壳层聚合物粒子;
(II)制备分子筛:将硅酸钠和偏铝酸钠分别溶于水中,制得硅酸钠溶液和偏铝酸钠溶液;向硅酸钠溶液中加入金属氧化物@壳层聚合物粒子,所述金属氧化物@壳层聚合物粒子与硅酸钠的质量比为1:20~30,分散均匀后,在搅拌下向其中加入偏铝酸钠溶液,加完后继续搅拌1~2h;在100~110℃下晶化3~6h后,经过滤、充分洗涤、干燥,获得改性分子筛。
6.如权利要求5所述的应用,其特征在于,步骤(I)中,所述包覆液中,壳层聚合物的质量分数为1~2wt%;所述金属氧化物分散液中,金属氧化物的质量分数为5~8wt%。
7.如权利要求1所述的应用,其特征在于,步骤S1中,所述压缩为将氧化亚氮原料气压缩至1.0~2.0MPa。
8.如权利要求1或7所述的应用,其特征在于,步骤S1中,所述吸附除杂的具体过程如下:将加压后的氧化亚氮原料气依次通入封闭的13X-APG分子筛吸附器、4A分子筛吸附器、改性分子筛吸附器中,当改性分子筛吸附器中的压力达到1.0~2.0MPa时,出气,获得高纯氧化亚氮。
9.如权利要求1所述的应用,其特征在于,步骤S2中:
沉积SiOx膜时,沉积温度为440~480℃,高纯氧化亚氮流量为4000~5000sccm,硅烷流量为350~450sccm,压力为1.2~1.8Torr,沉积功率为2500~3500W,时间为800~1000s;和/或
沉积SixNy膜时,沉积温度为440~480℃,氨气流量为4500~5500sccm,硅烷流量为350~450sccm,压力为1.2~1.8Torr,沉积功率为2500~3500W,时间为350~450s。
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