[发明专利]薄膜制备方法、高通量组合材料芯片制备方法及其系统有效
| 申请号： | 202110396898.9 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113337798B | 公开（公告）日： | 2022-12-27 |
| 发明（设计）人： | 闫宗楷;刘奕;向勇;徐子明;贾春阳 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C23C14/54;C23C14/04;H01L21/285 |
| 代理公司： | 深圳市智享知识产权代理有限公司 44361 | 代理人： | 邹学琼 |
| 地址： | 610000 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明涉及薄膜材料制备领域，本发明所提供的薄膜制备方法，其可基于对靶材进行旋转并控制其旋转的速度，可使前一种靶材的待沉积材料还在岛状生长状态未形成层状薄膜时，另一种靶材继续进行沉积，即可实现不同靶材的待沉积材料以原子混合的方式进行沉积，因此无需在额外设置热处理过程即可实现多种材料的均匀混合，大大降低了薄膜制备难度，提升了薄膜制备的精准度和良率。本发明还提供一种高通量组合材料芯片制备方法及系统，其也可实现不同靶材的待沉积材料以原子混合的方式进行高通量组合沉积，使高通量组合材料芯片的制备流程简化，结合相关高通量表征技术，为材料基因数据库的构建快速提供海量的材料数据，最终推动材料按需设计和智能制造。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 制备 方法 通量 组合 材料 芯片 及其 系统 | ||
【主权项】：
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