[发明专利]薄膜制备方法、高通量组合材料芯片制备方法及其系统

权利要求书

1.一种薄膜制备方法，其特征在于：提供目标基底，将两个及以上靶材以预设旋转速度旋转移动；在靶材与目标基底之间设置宽度可调整的狭缝，靶材的轴向延伸线与狭缝两端连接的夹角小于多个靶材之间的夹角，当靶材旋转至目标位置，该靶材上的待沉积材料经过狭缝混合后沉积至目标基底上，形成薄膜。

2.如权利要求1中所述薄膜制备方法，其特征在于：目标位置为靶材与目标基底对应的位置，沉积该靶材上的待沉积材料至目标基底上，形成薄膜，具体包括：控制掩膜板在靶材与目标基底之间移动；当靶材旋转至与目标基底对应时，控制掩膜板的移动速度至与预设旋转速度匹配，使该靶材上的待沉积材料经过狭缝后沉积至目标基底上，形成薄膜。

3.如权利要求2所述薄膜制备方法，其特征在于：调整靶材的预设旋转速度以获得多层薄膜或共沉积薄膜，在目标基底上沉积形成多层薄膜的预设旋转速度小于在目标基底上沉积形成共沉积薄膜的预设旋转速度。

4.如权利要求3所述薄膜制备方法，其特征在于：当多个靶材上的待沉积材料在目标基底沉积形成共沉积薄膜时，所述靶材的预设旋转速度为靶材的旋转角速度，目标基底移动通过狭缝所需时间t大于靶材旋转通过狭缝所需时间T。

5.一种高通量组合材料芯片制备方法，其特征在于：包括以下步骤：提供多个可移动的目标基底以及两个及以上可旋转靶材；靶材旋转的预设旋转速度与目标基底的移动速度呈预设比例，在靶材与目标基底之间设置宽度可调整的狭缝，靶材的轴向延伸线与狭缝两端连接的夹角小于多个靶材之间的夹角，当一靶材旋转至与其中一目标基底对应的目标位置，该靶材上的待沉积材料经过狭缝混合后沉积至该目标基底上；及控制掩膜板的移动速度，重复不同靶材的待沉积材料沉积于该目标基底上，以获得高通量组合材料芯片。

6.如权利要求5中所述高通量组合材料芯片制备方法，其特征在于：提供设于靶材与目标基底之间的狭缝，靶材上的待沉积材料通过狭缝沉积至目标基底上，当多个靶材上的待沉积材料在目标基底沉积形成共沉积薄膜时，目标基底移动通过狭缝宽度的时间t大于靶材旋转通过狭缝宽度的时间T。

7.一种高通量组合材料芯片制备系统，其特征在于：所述高通量组合材料芯片制备系统包括至少一靶材单元、基底单元以及传送单元，其中，传送单元带动基底单元移动，所述靶材单元包括多个靶材，在靶材与目标基底之间设置宽度可调整的狭缝，靶材的轴向延伸线与狭缝两端连接的夹角小于多个靶材之间的夹角，靶材单元以预设旋转速度旋转并当靶材旋转至与基底单元对应的目标位置时，靶材上的待沉积材料经过狭缝混合后沉积至该目标基底上，以实现靶材单元向基底单元内的目标基底沉积待沉积材料。

8.如权利要求7中所述高通量组合材料芯片制备系统，其特征在于：所述高通量组合材料芯片制备系统进一步包括掩膜单元，所述掩膜单元在靶材单元与基底单元之间移动。

9.如权利要求7中所述高通量组合材料芯片制备系统，其特征在于：所述靶材单元包括靶材支架、固定在靶材支架上的靶材位以及工作外罩，靶材支架及靶材位均收容于工作外罩之内。

10.如权利要求7-9中任一项所述高通量组合材料芯片制备系统，其特征在于：所述基底单元还包括宽度可调整的狭缝，由靶材单元溅射产生的待沉积材料经过狭缝混合后沉积在目标基底之上，靶材位上固定有多个靶材；当目标基底移动通过狭缝宽度的时间t大于靶材旋转通过狭缝宽度的时间T，则靶材所沉积样品的厚度与靶材旋转通过狭缝宽度的时间T、靶材沉积速率正相关；当目标基底移动通过狭缝宽度的时间t小于靶材旋转通过狭缝宽度的时间T，则靶材所沉积样品的厚度与目标基底移动通过狭缝宽度的时间T、靶材沉积速率正相关。