[发明专利]三维存储器件有效
| 申请号： | 202110388893.1 | 申请日： | 2020-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN113097218B | 公开（公告）日： | 2023-05-19 |
| 发明（设计）人： | 张坤 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B43/35 | 分类号： | H10B43/35;H10B43/27;H10B43/50;H10B41/35;H10B41/27;H10B41/50 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 杨锡劢;赵磊 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了3D存储器件以及用于形成其的方法的实施例。在一个示例中，3D存储器件包括：衬底；在衬底上方的外围电路；在外围电路上方的包括交错的导电层和介电层的存储堆叠层；多个沟道结构，其各自垂直地延伸穿过存储堆叠层；与多个沟道结构的上端接触的导电层；第一源极触点，其在存储堆叠层上方并且与多个沟道结构电连接；以及第二源极触点，其在存储堆叠层上方并且与多个沟道结构电连接。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 存储 器件 | ||
【主权项】：
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