[发明专利]一种反铁磁氮化铬薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 202110386117.8 | 申请日： | 2021-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN113174632A | 公开（公告）日： | 2021-07-27 |
| 发明（设计）人： | 郭尔佳;金桥;荣东珂;林珊;陈爽;陈盛如;祁明群;金奎娟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/38;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 郭广迅;赵岩 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化铬薄膜及其制备方法，所述制备方法包括：(1)制备多晶氮化铬靶材：将氯化铬粉末与氨基钠粉末混合，预烧后压成块状靶材，并再次烧结，得到多晶氮化铬靶材；(2)薄膜制备：将所述多晶氮化铬靶材置于脉冲激光沉积设备的真空腔体中，利用脉冲激光沉积在衬底上生长氮化铬薄膜。得到的CrN薄膜结晶质量高且化学组分配比均一。本发明操作简单，可重复性强，不受外界环境影响。可根据器件需要，制备不同厚度及反铁磁转变温度的氮化铬薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 反铁磁 氮化 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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