[发明专利]可降低残压比的氧化锌电阻片及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110383203.3 申请日: 2021-06-11
公开(公告)号: CN113173784B 公开(公告)日: 2023-04-25
发明(设计)人: 曹伟;万帅;谷山强;谭进;任鑫;姚政;刘新;杜雪松;刘子皓;王智凯 申请(专利权)人: 国网电力科学研究院武汉南瑞有限责任公司;国网电力科学研究院有限公司;国家电网有限公司;国网安徽省电力有限公司;上海大学
主分类号: C04B35/453 分类号: C04B35/453;H01C7/112;H01C17/00;H01C17/28;H01C17/30;C04B35/622
代理公司: 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 代理人: 潘杰
地址: 430074 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明公开了一种可降低残压比的氧化锌电阻片及其制备方法,该方法经准备氧化锌电阻片的原料、浆料的制备、坯体的制备和烧结四大步骤制备得到氧化锌电阻片;通过前预煅烧的方式将Mg2+和Al3+离子共同渗入ZnO晶粒内部,由于Mg2+离子粒径略小于Zn2+离子,可在ZnO晶格内形成拉应力,促进了Al3+离子的有效渗入,避免Al3+离子在ZnO晶界附近的富集,使Al3+离子向ZnO晶粒内部渗透,可有效降低ZnO晶粒电阻,且减小晶界Al3+离子浓度,这样便不会增大漏电流,所制备的氧化锌电阻片残压比和残压都有效降低。本发明工艺简单,易于控制,成本低廉。
搜索关键词: 降低 氧化锌 电阻 及其 制备 方法
【主权项】:
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