[发明专利]一种量子点及其制备方法和应用在审

专利信息
申请号: 202110382792.3 申请日: 2021-04-09
公开(公告)号: CN113105884A 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 孙小卫;张文达;王恺 申请(专利权)人: 深圳扑浪创新科技有限公司
主分类号: C09K11/02 分类号: C09K11/02;C09K11/70;C09K11/88
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 潘登
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区布吉街道甘李*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提出了一种量子点及其制备方法和应用。所述量子点包括InP量子点核心、包覆于InP量子点核心表面的ZnSeS层以及包覆于ZnSeS层表面的ZnS层;其中,所述InP量子点核心为经酸刻蚀得到的。本发明所述量子点使用酸刻蚀得到,既能去除量子点表面的氧化物缺陷,又能将量子点刻蚀为类球形结构,提升量子点的粒径均一性,得到量子效率高、半峰宽窄的InP量子点。
搜索关键词: 一种 量子 及其 制备 方法 应用
【主权项】:
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