[发明专利]一种量子点及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种量子点，其特征在于，所述量子点包括InP量子点核心、包覆于InP量子点核心表面的ZnSeS层以及包覆于ZnSeS层表面的ZnS层；

其中，所述InP量子点核心为经酸刻蚀得到的。

2.根据权利要求1所述的量子点，其特征在于，所述InP量子点核心的粒径为1-5nm；

优选地，所述ZnSeS层的厚度为1-5nm；

优选地，所述ZnS层的厚度为1-5nm。

3.根据权利要求1或2所述的量子点，其特征在于，所述酸包括有机酸和/或无机酸；

优选地，所述有机酸选自甲酸和/或乙酸；

优选地，所述无机酸选自盐酸、氢碘酸、氢溴酸、氢氟酸、硫酸、硝酸或硼酸中的任意一种或至少两种的组合。

4.根据权利要求1-3中任一项所述量子点的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：

(1)将铟的卤素盐、锌的卤素盐和溶剂混合进行预反应，再与磷源混合进行取代反应，最后与酸混合进行刻蚀，得到所述InP量子点核心；

(2)将步骤(1)得到的InP量子点核心、Se的前驱体、S的前驱体、Zn的前驱体混合，进行反应，在所述InP量子点核心表面形成所述ZnSeS层，得到中间体；

(3)将步骤(2)得到的中间体、S源、Zn的前驱体混合，进行反应，在所述ZnSeS层的表面形成ZnS层，得到所述量子点。

5.根据权利要求4所述的量子点的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述铟的卤素盐为三碘化铟；

优选地，步骤(1)中，所述锌的卤素盐为二碘化锌；

优选地，步骤(1)中，所述溶剂为油胺；

优选地，步骤(1)中，所述预反应的温度为100-250℃，所述预反应的时间为1-60min。

6.根据权利要求4或5所述的量子点的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述磷源为三(二甲胺基)膦；

优选地，步骤(1)中，所述取代反应的温度为100-250℃，所述取代反应的时间为1-60min；

优选地，步骤(1)中，所述铟的卤素盐、锌的卤素盐、磷源和酸的摩尔比为(0.1-1):(0.1-5):(0.1-5):(0.01-1)。

7.根据权利要求4-6中任一项所述的量子点的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述Se的前驱体的制备方法为：将Se粉和三辛基膦混合，得到所述Se的前驱体；

优选地，步骤(2)中，所述S的前驱体的制备方法为：将S粉和三辛基膦混合，得到所述S的前驱体；

优选地，步骤(2)和步骤(3)中，所述Zn的前驱体的制备方法均为：将硬脂酸锌和十八烯混合，得到所述Zn的前驱体。

8.根据权利要求4-7中任一项所述的量子点的制备方法，其特征在于，步骤(2)中，所述InP量子点核心、Se的前驱体、S的前驱体、Zn的前驱体的摩尔比为(0.1-1):(0.1-5):(0.1-5):(0.01-1)；

优选地，步骤(2)中，所述反应的温度为150-300℃，所述反应的时间为1-120min。

9.根据权利要求4-8中任一项所述的量子点的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述S源为十二硫醇；

优选地，步骤(3)中，所述中间体、S源、Zn的前驱体的摩尔比为(0.1-5):(0.1-5):(0.1-5)；

优选地，步骤(3)中，所述反应的温度为150-300℃，所述反应的时间为1-120min；

优选地，步骤(3)中，所述量子点经纯化得到：将步骤(3)反应后得到的InP/ZnSeS/ZnSQDs溶液与溶剂混合，离心，得到所述量子点；

优选地，所述溶剂选自正己烷、乙醇或甲苯中的任意一种或至少两种的组合；

优选地，所述离心的转速为8000-12000rpm，所述离心的时间为1-5min。

10.根据权利要求1-3中任一项所述量子点在制备发光器件、荧光探针或荧光检测器中的应用。