[发明专利]半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110377967.1 | 申请日： | 2021-04-08 |
| 公开（公告）号： | CN112897457A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 万蔡辛;何政达;赵成龙;蒋樱 | 申请（专利权）人： | 无锡韦尔半导体有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;张靖琳 |
| 地址： | 江苏省无锡市新区区菱湖*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。根据本发明实施例的半导体器件的制造方法包括在衬底上依次形成牺牲层和结构层；以及在所述牺牲层的侧壁上形成金属层，其中，所述牺牲层和所述结构层上形成有台阶结构；通过溅射生长的方式在所述台阶结构上形成所述金属层。根据本发明实施例的半导体器件及其制造方法，采用金属层保护不希望去除的牺牲层，金属层的覆盖性和致密性好，保护效果好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡韦尔半导体有限公司，未经无锡韦尔半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110377967.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种口腔医生操作术者体位监测系统
- 下一篇：一种用于雕刻机的快接除尘罩
