[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上依次形成牺牲层和结构层；以及

在所述牺牲层的侧壁上形成金属层，

其中，所述牺牲层和所述结构层上形成有台阶结构；

通过溅射生长的方式在所述台阶结构上形成所述金属层。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，蚀刻所述结构层和/或所述牺牲层以在所述结构层边缘处形成台阶结构，

其中，所述牺牲层的侧表面与所述衬底的上表面所成夹角小于85°；和/或所述结构层的侧表面与所述牺牲层的上表面所成夹角小于85°。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的材料包括选自硅的氧化物、硅的氮化物、磷硅玻璃中的至少一种；

所述结构层的材料包括选自多晶硅、单晶硅、无定型硅中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在形成所述牺牲层和所述结构层后，在所述结构层上形成绝缘层；

所述绝缘层的材料包括硅的氮化物；

所述绝缘层的生长方式为低压化学气相淀积，配比为非富硅材料。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：

蚀刻所述绝缘层以在所述绝缘层边缘处形成台阶结构，

其中，所述绝缘层的侧表面与所述结构层的上表面所成夹角小于85°；

所述金属层覆盖所述绝缘层边缘处的台阶结构。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：

在所述绝缘层和所述结构层上设置过渡层；以及

在所述过渡层的上方设置所述金属层。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：

在所述金属层的上方形成保护层，所述保护层用于所述金属层的保护。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括：

衬底；

牺牲层，位于所述衬底的上方；

结构层，位于所述牺牲层的上方；以及

金属层，覆盖于所述牺牲层的侧壁，用于保护所述牺牲层，

其中，所述结构层与所述牺牲层形成台阶结构，所述金属层覆盖所述台阶结构。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述金属层包括：

金属层主体，覆盖于所述牺牲层的侧壁，用于保护所述牺牲层；以及

金属层延长部，分别与所述金属层主体和所述衬底相连接，用于隔绝释放过程中的药液。

10.根据权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述牺牲层侧面与所述衬底上表面的夹角小于85°。