[发明专利]动态随机存取存储器及其形成方法有效
申请号: | 202110373398.3 | 申请日: | 2021-04-07 |
公开(公告)号: | CN112864158B | 公开(公告)日: | 2022-06-21 |
发明(设计)人: | 华文宇;余兴 | 申请(专利权)人: | 芯盟科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/108 | 分类号: | H01L27/108;H01L21/8242 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 徐文欣 |
地址: | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种动态随机存取存储器及其形成方法,包括:衬底,衬底第一面和第二面,衬底包括若干有源区,各有源区均包括隔离区、沟道区和字线区;位于隔离区内的第一隔离层;位于字线区内的字线栅结构;位于沟道区第一面内的第一源漏掺杂区;位于第一面上的位线层;位于沟道区第二面内的第二源漏掺杂区;位于第二面上的若干电容结构。通过将位线层和电容结构排布在衬底的第一面和第二面上,能够有效降低电路布线以及制造工艺的难度。将电容结构排布在衬底的第二面,使得电容结构具有更大的结构空间,进而使得电容结构的存储容量增加。将位线层和电容结构排布在衬底的第一面和第二面上,还能够有效减小单个存储结构占用的面积,能够提升存储器的存储密度。 | ||
搜索关键词: | 动态 随机存取存储器 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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