[发明专利]动态随机存取存储器及其形成方法有效

专利信息
申请号: 202110373398.3 申请日: 2021-04-07
公开(公告)号: CN112864158B 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 华文宇;余兴 申请(专利权)人: 芯盟科技有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L21/8242
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 徐文欣
地址: 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 一种动态随机存取存储器及其形成方法,包括:衬底,衬底第一面和第二面,衬底包括若干有源区,各有源区均包括隔离区、沟道区和字线区;位于隔离区内的第一隔离层;位于字线区内的字线栅结构;位于沟道区第一面内的第一源漏掺杂区;位于第一面上的位线层;位于沟道区第二面内的第二源漏掺杂区;位于第二面上的若干电容结构。通过将位线层和电容结构排布在衬底的第一面和第二面上,能够有效降低电路布线以及制造工艺的难度。将电容结构排布在衬底的第二面,使得电容结构具有更大的结构空间,进而使得电容结构的存储容量增加。将位线层和电容结构排布在衬底的第一面和第二面上,还能够有效减小单个存储结构占用的面积,能够提升存储器的存储密度。
搜索关键词: 动态 随机存取存储器 及其 形成 方法
【主权项】:
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