[发明专利]动态随机存取存储器及其形成方法

权利要求书

1.一种动态随机存取存储器，其特征在于，包括：

衬底，所述衬底具有相对的第一面和第二面，所述衬底包括若干相互分立且平行于第一方向的有源区，且若干所述有源区沿第二方向排列，所述第一方向与所述第二方向垂直，各所述有源区均包括若干隔离区、若干沟道区以及若干字线区，每个所述有源区中的所述隔离区和所述沟道区沿所述第一方向间隔排列，且所述字线区位于相邻的所述隔离区和所述沟道区之间；

位于所述字线区内的字线栅结构，所述字线栅结构自第一面向第二面延伸，且所述字线栅结构沿所述第二方向贯穿所述有源区；

位于所述沟道区第一面内的第一源漏掺杂区；

位于所述衬底第一面上的若干平行于所述第一方向的位线层，每个所述位线层与一个所述有源区中的若干第一源漏掺杂区电连接；

位于所述沟道区第二面内的第二源漏掺杂区；

位于所述隔离区内的第一隔离层，所述第一隔离层自所述第一面向所述第二面的方向贯穿所述衬底；

位于所述沟道区内的第二隔离层，所述第二隔离层自所述第二面向所述第一面的方向延伸；

位于所述衬底第二面上的若干电容结构，每个所述电容结构与一个所述第二源漏掺杂区电连接。

2.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于相邻的所述有源区之间的隔离结构，所述隔离结构自所述第一面向所述第二面的方向贯穿所述衬底。

3.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述字线区具有字线栅沟槽，所述字线栅沟槽自所述第一面向所述第二面延伸，且所述字线栅沟槽沿所述二方向贯穿所述有源区；所述字线栅结构包括位于字线栅沟槽侧壁和底部表面的字线栅介质层、以及位于所述字线栅介质层上的字线栅层。

4.如权利要求3所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述字线栅层包括单层结构或复合结构。

5.如权利要求4所述动态随机存取存储器，其特征在于，当所述字线栅层为单层结构时，所述字线栅层的材料包括金属或多晶硅。

6.如权利要求5所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述第二隔离层自所述第二面向所述第一面方向的高度大于所述字线栅层自所述第二面向所述第一面方向的一半高度。

7.如权利要求4所述动态随机存取存储器，其特征在于，当所述字线栅层为复合结构时，所述字线栅层包括第一栅极层以及位于所述第一栅极层上的第二栅极层，所述第一栅极层和所述第二栅极层的材料不同。

8.如权利要求7所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述第一栅极层的材料包括金属或多晶硅；所述第二栅极层的材料包括多晶硅或金属。

9.如权利要求8所述动态随机存取存储器，其特征在于，当所述第一栅极层的材料为多晶硅时，所述第二隔离层自所述第二面向所述第一面方向的高度大于所述第一栅极层自所述第二面向所述第一面方向的高度；当所述第二栅极层的材料为多晶硅时，所述第二隔离层自所述第二面向所述第一面方向的高度大于所述第二栅极层自所述第二面向所述第一面方向的高度。

10.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于每个所述第一源漏掺杂区上的第一导电插塞，每个所述位线层与一个所述有源区上的若干所述第一导电插塞电连接。

11.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，还包括：位于每个所述第二源漏掺杂区上的第二导电插塞，每个所述电容结构与一个所述第二导电插塞电连接。

12.如权利要求1所述动态随机存取存储器，其特征在于，所述电容结构包括：第一电极层、第二电极层和位于第一电极层与第二电极层之间的介电层。