[发明专利]基于三氧化钼接触掺杂的P型有机薄膜晶体管及制备方法有效
| 申请号： | 202110370278.8 | 申请日： | 2021-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN113161486B | 公开（公告）日： | 2023-02-17 |
| 发明（设计）人： | 李文武;姬韵博;黄凡铭;陆定一;褚君浩 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H10K71/12 | 分类号： | H10K71/12;H10K71/15;H10K10/46 |
| 代理公司： | 上海蓝迪专利商标事务所(普通合伙) 31215 | 代理人： | 徐筱梅;张翔 |
| 地址： | 200241 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于三氧化钼接触掺杂的P型有机薄膜晶体管及制备方法，所述P型有机薄膜晶体管具有顶栅底接触结构。首先在绝缘衬底上通过掩膜版制备一层金作为源极和漏极，再在金电极上制备一层三氧化钼作为接触掺杂层，然后利用溶胶凝胶法，在已制备电极完毕的样品表面形成P型有机半导体有源层，并在有源层上旋涂一层介电材料作为绝缘层，最后通过掩膜版在绝缘层表面制备铝栅电极。该方法制备的三氧化钼接触掺杂的有机薄膜晶体管相较于传统有机薄膜晶体管，其载流子迁移率和器件开关比得到明显的提升，器件的亚阈值摆幅和阈值电压大幅减小。本发明提升了顶栅底接触结构的P型有机薄膜晶体管的电学性能，具有成本低廉、工艺步骤简单的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 氧化钼 接触 掺杂 有机 薄膜晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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