[发明专利]氮化镓半导体结构、Micro LED器件及制备方法有效
| 申请号： | 202110363036.6 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113097352B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;石航宁;刘仁杰;游天桂 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;浙江中科尚弘离子装备工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32;H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓半导体结构、Micro LED器件及制备方法，氮化镓半导体结构包括基底、第二介质层、第一介质层及氮化镓单晶薄膜，第一介质层中具有第一凹槽，氮化镓单晶薄膜中具有第二凹槽，且第一凹槽及第二凹槽相连通。本发明通过剥离法获得氮化镓单晶薄膜，相对于传统异质外延法获得的氮化镓单晶薄膜，具有更高的晶体质量，以及显著降低的缺陷及位错密度；直接采用同质外延法形成分立的Micro LED外延结构，制备工艺简化，可避免芯片分离工艺中对外延结构造成的损伤，使器件性能更优异；可直接在基底中制备驱动电路，从而无需进行巨量转移，简化工艺，以及工艺难度和成本显著降低。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 半导体 结构 micro led 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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