[发明专利]一种具有超低片外电容的LDO电路在审
| 申请号： | 202110352436.7 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113064461A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 王保存;刘世军 | 申请（专利权）人： | 苏州喻芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 苏州润桐嘉业知识产权代理有限公司 32261 | 代理人： | 朱平 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家港市高新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种具有超低片外电容的LDO电路，涉及电源技术领域。本申请所述的LDO电路包括：误差放大器；第一电阻和第二电阻，第一电阻和第二电阻串联构成反馈电阻网络，将LDO电路的输出电压分压后反馈给误差放大器；NMOS管，NMOS管的栅极连接误差放大器的输出端，其源极连接输出级的输入端并连接输入电压，其漏极通过反馈电阻网络后接地；小电荷泵电路，小电荷泵电路与误差放大器的输入端连接。本申请实施例通过在LDO的误差放大器电路中引入小电荷泵电路，从而可以通过采用控制小电荷泵电路输出提高NMOS管N1的栅端电压。据此，在LDO电路应用时，即使是在输入最小压差的情况下，依然能够驱动外部应用的负载。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 超低片 外电 ldo 电路 | ||
【主权项】：
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