[发明专利]一种具有超低片外电容的LDO电路在审
| 申请号： | 202110352436.7 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113064461A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 王保存;刘世军 | 申请（专利权）人： | 苏州喻芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/56 | 分类号： | G05F1/56 |
| 代理公司： | 苏州润桐嘉业知识产权代理有限公司 32261 | 代理人： | 朱平 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家港市高新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 超低片 外电 ldo 电路 | ||
1.一种具有超低片外电容的LDO电路，其特征在于，包括：
误差放大器；
第一电阻和第二电阻，所述第一电阻和所述第二电阻串联构成反馈电阻网络，将所述LDO电路的输出电压分压后反馈给误差放大器；
NMOS管，所述NMOS管的栅极连接误差放大器的输出端，其源极连接输出级的输入端并连接输入电压，其漏极通过所述反馈电阻网络后接地；
小电荷泵电路，所述小电荷泵电路与所述误差放大器的输入端连接。
2.根据权利要求1所述的一种具有超低片外电容的LDO电路，其中，所述误差放大器的同相输入端连接基准电压。
3.根据权利要求1所述的一种具有超低片外电容的LDO电路，其中，所述NMOS管的栅极端摆率高。
4.根据权利要求1所述的一种具有超低片外电容的LDO电路，其中，所述小电荷电路产生的电压作为误差放大器的供电电压。
5.根据权利要求1所述的一种具有超低片外电容的LDO电路，其中，所述小电荷电路包括振荡器、第一开关D1、第二开关D2，第一电容C1和第二电容C2。
6.根据权利要求5所述的一种具有超低片外电容的LDO电路，其中，所述振荡器的输入端连接供电电压。
7.根据权利要求5所述的一种具有超低片外电容的LDO电路，其中，所述小电荷电路的工作模式为：当控制脉冲为低电平时，所述小电荷电路的反向输出为高电平。
8.根据权利要求7所述的一种具有超低片外电容的LDO电路，其中，所述第一开关D1为正向偏压，所述第二开关D2为反向偏压，所述第一电容C1和所述第二开关D1导通，所述第一电容C1的跨压Vc1最高可充电至Vc1-(Vcc-Vd)的电压量，式中的Vd为二极管的正向偏压。
9.根据权利要求5所述的一种具有超低片外电容的LDO电路，其中，所述小电荷电路的工作模式为：当控制脉冲为高电平时，所述小电荷电路的反向输出为低电平。
10.根据权利要求9所述的一种具有超低片外电容的LDO电路，其中，所述第一电容C1的跨压Vc1的正端相当于接地，所述第一开关D1为反向偏压，而所述第二开关D2为正向偏压，承接所述第一电容C1的跨压，所述第二电容C2最高可充电至-(Vcc-2Vd)的电压，而其电压对应于接地是负的。
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