[发明专利]基于GaAs pHEMT工艺的超宽带低电流驱动放大器在审
| 申请号： | 202110352306.3 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113098403A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 蒋一帆 | 申请（专利权）人： | 南京米乐为微电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/26 | 分类号： | H03F1/26;H03F1/42 |
| 代理公司： | 南京泉为知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32408 | 代理人： | 许丹丹 |
| 地址： | 211100 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了基于GaAs pHEMT工艺的超宽带低电流驱动放大器，其包括信号输入端、信号输出端、共源共栅放大单元、电流复用放大单元、输入匹配单元、输出匹配单元、自偏置电路以及电流复用电路；还包括位于共源共栅放大单元和电流复用放大单元之间的级间匹配单元、位于输入匹配单元和级间匹配单元之间的第一反馈电路、以及位于级间匹配单元和输出匹配单元之间的第二反馈电路；所述共源共栅放大单元中的晶体管PHEMT1的源极与自偏置电路相连；所述电流复用放大单元中的晶体管PHEMT3的源极与电流复用电路相连。本发明在实现低功耗的同时，兼顾了驱动放大器的高增益和稳定性能，可靠性高。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 gaas phemt 工艺 宽带 电流 驱动 放大器 | ||
【主权项】：
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