[发明专利]基于GaAs pHEMT工艺的超宽带低电流驱动放大器

权利要求书

1.一种基于GaAs pHEMT工艺的超宽带低电流驱动放大器，其特征在于：包括信号输入端、信号输出端、共源共栅放大单元、电流复用放大单元、输入匹配单元、输出匹配单元、自偏置电路以及电流复用电路；

其中信号输入端、输入匹配单元、共源共栅放大单元、电流复用放大单元、输出匹配单元及信号输出端依次相连；

还包括位于共源共栅放大单元和电流复用放大单元之间的级间匹配单元、位于输入匹配单元和级间匹配单元之间的第一反馈电路、以及位于级间匹配单元和输出匹配单元之间的第二反馈电路；

所述共源共栅放大单元包括晶体管PHEMT1和晶体管PHEMT2；所述电流复用放大单元包括晶体管PHEMT3；

所述共源共栅放大单元中的晶体管PHEMT1的源极与自偏置电路相连；所述电流复用放大单元中的晶体管PHEMT3的源极与电流复用电路相连。

2.如权利要求1所述的基于GaAs pHEMT工艺的超宽带低电流驱动放大器，其特征在于：还包括为PHEMT2和PHEMT3的栅极提供偏置电压的电阻分压电路；

所述输入匹配单元的一端与信号输入端相连，晶体管PHEMT1的栅极与输入匹配单元的另一端相连，晶体管PHEMT1的源极与自偏置电路的一端相连；

晶体管PHEMT1的漏极通过电感L3与晶体管PHEMT2的源极相连；

晶体管PHEMT2的栅极与电容C4的一端连接，电容C4的另一端接地；晶体管PHEMT2的漏极与级间匹配单元的一端相连；

所述晶体管PHEMT3的栅极与级间匹配单元的另一端相连；晶体管PHEMT3的漏极与输出匹配单元的一端相连；输出匹配单元的另一端与信号输出端相连。

3.如权利要求2所述的基于GaAs pHEMT工艺的超宽带低电流驱动放大器，其特征在于：所述自偏置电路包括并联连接的电阻R1和电容C2，自偏置电路的另一端接地。

4.如权利要求2所述的基于GaAs pHEMT工艺的超宽带低电流驱动放大器，其特征在于：所述第一反馈电路包括串联连接的电容C3和电阻R12；第一反馈电路的一端与晶体管PHEMT1的栅极相连，另一端与晶体管PHEMT2的漏极相连；和/或

所述第二反馈电路包括串联连接的电阻R2、电容C6和电感L7；第二反馈电路的一端与晶体管PHEMT3的栅极相连，另一端与晶体管PHEMT3的漏极相连。

5.如权利要求2所述的基于GaAs pHEMT工艺的超宽带低电流驱动放大器，其特征在于：所述输入匹配单元包括电容C1、电感L1和电感L2；

电容C1的一端与信号输入端相连，另一端与电感L2的一端相连，电感L2的另一端与晶体管PHEMT1的栅极相连；

电感L1的一端与电容C1的另一端相连，电感L1的另一端接地。

6.如权利要求2所述的基于GaAs pHEMT工艺的超宽带低电流驱动放大器，其特征在于：所述级间匹配单元包括主要由电感L4、电感L5和电容C5组成的T型匹配网络；

电感L4的一端与晶体管PHEMT2的漏极相连，另一端与电容C5的一端相连，电容C5的另一端与晶体管PHEMT3的栅极相连；

电感L5的一端与电感L4的另一端相连，电感L5的另一端接地。

7.如权利要求2所述的基于GaAs pHEMT工艺的超宽带低电流驱动放大器，其特征在于：所述输出匹配单元包括电阻R4、电感L8、电容C8和电容C9；

其中电容C8的一端与PHEMT3的漏极相连，另一端与信号输出端相连；

电感L8的一端与PHEMT3的漏极相连，另一端连接直流偏置电压VD；

电阻R4的一端与电感L8的另一端相连，电阻R4的另一端与电容C9的一端相连，电容C9的另一端接地。