[发明专利]半导体结构及其制备方法有效
| 申请号： | 202110351086.2 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113097149B | 公开（公告）日： | 2022-05-24 |
| 发明（设计）人： | 于业笑 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：提供衬底；于所述衬底内形成栅极沟槽，所述栅极沟槽包括第一沟槽及第二沟槽；所述第二沟槽位于所述第一沟槽上方，且与所述第一沟槽相连通，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度；于所述栅极沟槽内形成栅极字线。本发明的半导体结构的制备方法通过制备上部比下部宽的栅极沟槽，可以得到上部比较宽的栅极字线，由于栅极字线的上部比较宽，便于第一互连结构与栅极字线的对准接触，可以确保第一互连结构与栅极字线具有足够大的接触面积，从而减小第一互连结构与栅极字线的接触电阻，提高存储器件的电性，使得存储器件具有较好的读写速度和存储效率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
