[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110348802.1 | 申请日： | 2021-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN113284996B | 公开（公告）日： | 2022-08-12 |
| 发明（设计）人： | 王群;郭志琰;葛永晖;郭炳磊;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。复合电子阻挡层设置为p型掺杂GaN层与n个复合结构，n个复合结构沿p型掺杂GaN层的生长方向依次间隔插设在p型掺杂GaN层内。p型掺杂GaN层本身及p型GaN层内缺陷较少，p型掺杂GaN层本身也可以提供较为充足的空穴，最终进入多量子阱层内的空穴数量可以得到增加，发光二极管的发光效率可以得到提高。每个复合结构均包括沿p型掺杂GaN层的生长方向依次层叠的AlInN子层、InGaN子层与AlGaN子层，复合结构本身可以起到一定的阻挡作用，并在阻挡的同时低势垒的InGaN子层部位起到积累空穴的作用，提高发光二极管的发光均匀度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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