[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型GaN层、多量子阱层、复合电子阻挡层与p型GaN层，

所述复合电子阻挡层包括p型掺杂GaN层与n个复合结构，n为整数且n大于或等于2，n个所述复合结构沿所述p型掺杂GaN层的生长方向依次间隔插设在所述p型掺杂GaN层内，每个所述复合结构均包括沿所述p型掺杂GaN层的生长方向依次层叠的AlInN子层、InGaN子层与AlGaN子层，n个所述复合结构的厚度在所述p型掺杂GaN层的生长方向上递增，相邻的两个所述复合结构之间的距离在所述p型掺杂GaN层的生长方向上递减，n个所述复合结构的厚度在所述p型掺杂GaN层的生长方向上对数递增，相邻的两个所述复合结构之间的距离在所述p型掺杂GaN层的生长方向上指数递减，最靠近所述多量子阱层的一个所述复合结构的厚度为0.5～1.5nm，最靠近所述多量子阱层的两个所述复合结构之间的距离为5～15nm。

2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述复合结构的厚度与所述p型掺杂GaN层的厚度之比为1:1～1:5。

3.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述复合结构的厚度为0.5～5nm，所述p型掺杂GaN层的厚度为1～25nm。

4.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长n型GaN层；

在所述n型GaN层上生长多量子阱层；

在所述多量子阱层上生长复合电子阻挡层，所述复合电子阻挡层包括p型掺杂GaN层与n个复合结构，n为整数且n大于或等于2，n个所述复合结构沿所述p型掺杂GaN层的生长方向依次间隔插设在所述p型掺杂GaN层内，每个所述复合结构均包括沿所述p型掺杂GaN层的生长方向依次层叠的AlInN子层、InGaN子层与AlGaN子层，n个所述复合结构的厚度在所述p型掺杂GaN层的生长方向上对数递增，相邻的两个所述复合结构之间的距离在所述p型掺杂GaN层的生长方向上指数递减，最靠近所述多量子阱层的一个所述复合结构的厚度为0.5～1.5nm，最靠近所述多量子阱层的两个所述复合结构之间的距离为5～15nm；

在所述复合电子阻挡层上生长p型GaN层。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，生长每个所述复合结构，包括：

交替向反应腔通入氨气与有机金属源，在p型GaN材料上生长所述AlInN子层，所述p型GaN材料为所述p型掺杂GaN层的一部分；

在AlInN子层上依次生长所述InGaN子层与所述AlGaN子层。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，生长完所述AlInN子层后，生长所述InGaN子层之前，向所述反应腔通入氮气处理所述AlInN子层的表面。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，向所述反应腔通入氮气处理所述AlInN子层的表面20～150s。