[发明专利]一种三维存储器沟道孔薄膜厚度的测量方法有效
| 申请号： | 202110342133.7 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113097090B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 周鹏程;艾自红;吴正利;魏强民 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人： | 刘恋;张颖玲 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请实施例公开了一种三维存储器沟道孔薄膜厚度的测量方法，所述方法包括：提供测试样品，所述测试样品包括半导体衬底、位于所述半导体衬底上的半导体器件结构和覆盖所述半导体器件结构的覆盖层；所述半导体器件结构包括目标结构和包围结构，所述包围结构沿平行于所述半导体衬底的方向包围所述目标结构；在所述测试样品的覆盖层的侧面形成切割开口，所述切割开口暴露所述半导体器件结构；通过所述切割开口，利用刻蚀液体去除所述半导体器件结构中的包围结构，以暴露所述目标结构；通过所述切割开口，沿平行于所述半导体衬底的方向对所述测试样品进行减薄，得到TEM样品；对所述TEM样品中的所述目标结构进行厚度测量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 三维 存储器 沟道 薄膜 厚度 测量方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
