[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202110340682.0 | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN115148813A | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中方法包括：提供初始衬底；在所述初始衬底内形成初始第一阱区；在所述初始第一阱区表面形成第一沟道材料层；刻蚀所述第一沟道材料层和所述初始衬底，形成衬底以及位于衬底上的第一鳍部，以所述第一沟道材料层形成位于第一鳍部上的第一沟道层，以所述初始第一阱区形成第一阱区；在所述衬底表面形成隔离结构层，所述隔离结构层位于所述第一鳍部侧壁，且所述隔离结构层暴露出所述第一沟道层，第一阱区的形成过程所需要的热退火处理在形成所述第一沟道层前完成，且第一阱区形成时的注入面为平面衬底，离子注入的均匀性较好，有利于形成均匀的第一阱区和稳定的第一沟道层，从而提高器件的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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