[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底上的第一鳍部以及所述第一鳍部上的第一沟道层；

位于所述衬底上的第二鳍部以及所述第二鳍部上的第二沟道层，所述第二沟道层包括第一外延层和位于所述第一外延层上的第二外延层；

位于所述衬底内的第一阱区，所述第一阱区延伸至所述第一鳍部内，且所述第一阱区顶部表面与所述第一鳍部顶部表面齐平；

位于所述衬底内的第二阱区，所述第二阱区延伸至所述第二鳍部内，且所述第二阱区顶部表面与所述第二鳍部顶部表面齐平；

位于所述衬底表面的隔离结构层，所述隔离结构层位于所述第一鳍部和所述第二鳍部侧壁，所述隔离结构层顶部表面与所述第一鳍部和所述第二鳍部顶部表面齐平，且暴露出所述第一沟道层和所述第二沟道层。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一外延层的材料包括锗硅、碳化硅或碳磷化硅。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述第一外延层的材料还包括硅、或磷化硅中的一者或两者。

4.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第二外延层的材料包括硅。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述第一沟道层的材料包括硅。

6.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供初始衬底；

在所述初始衬底内形成初始第一阱区；

在所述初始第一阱区表面形成第一沟道材料层；

刻蚀所述第一沟道材料层和所述初始衬底，形成衬底以及位于衬底上的第一鳍部，以所述第一沟道材料层形成位于第一鳍部上的第一沟道层，以所述初始第一阱区形成第一阱区；

在所述衬底表面形成隔离结构层，所述隔离结构层位于所述第一鳍部侧壁，且所述隔离结构层暴露出所述第一沟道层。

7.如权利要求6所述的半导体结构形成方法，其特征在于，在所述初始第一阱区表面形成第一沟道材料层前，还在所述初始衬底内形成初始第二阱区。

8.如权利要求7所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述初始第一阱区和所述初始第二阱区的形成方法包括：在所述初始衬底表面形成第一掩膜层，所述第一掩膜层暴露出部分所述初始衬底表面；以所述第一掩膜层为掩膜，向所述初始衬底内注入第一掺杂离子，形成所述初始第一阱区；在所述初始衬底表面形成第二掩膜层，所述第二掩膜层位于所述初始第一阱区表面；以所述第二掩膜层为掩膜，向所述衬底内注入第二掺杂离子，所述第二掺杂离子的导电类型与所述第一掺杂离子的导电类型不同，形成所述初始第二阱区。

9.如权利要求7所述的半导体结构形成方法，其特征在于，形成所述初始第二阱区后，形成所述隔离结构前，还形成第二鳍部以及位于所述第二鳍部上的第二沟道层；所述隔离结构层还位于所述第二鳍部侧壁，且暴露出所述第二沟道层。

10.如权利要求9所述的半导体结构形成方法，其特征在于，所述第二鳍部和所述第二沟道层的形成方法包括：在所述初始第二阱区表面形成第二沟道材料层；刻蚀所述第二沟道材料层和所述初始第二阱区，形成所述第二鳍部以及位于所述第二鳍部上的第二沟道层，以所述初始第二阱区形成第二阱区。

11.如权利要求10所述的半导体结构形成方法，其特征在于，形成第二沟道材料层前，形成初始第一阱区和初始第二阱区后，还包括：在所述初始衬底表面形成初始第一沟道材料层；在所述初始第一沟道材料层表面形成第三掩膜层，所述第三掩膜层暴露出所述初始第二阱区上的所述初始第一沟道材料层；以所述第三掩膜层为掩膜，刻蚀所述初始第一沟道材料层，直到暴露出所述初始第二阱区表面，形成所述第一沟道材料层。