[发明专利]一种基于Bragg光栅和横向波导结构的雪崩光电探测器在审
| 申请号: | 202110337673.6 | 申请日: | 2021-03-30 |
| 公开(公告)号: | CN112993065A | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
| 发明(设计)人: | 汪毅;颜旭;邓萌;王旭 | 申请(专利权)人: | 华中科技大学 |
| 主分类号: | H01L31/0232 | 分类号: | H01L31/0232;H01L31/107 |
| 代理公司: | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人: | 尹丽媛;李智 |
| 地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种基于Bragg光栅和横向波导结构的雪崩光电探测器,包括:衬底;形成于衬底之上的波导,用于光传输并将光场耦合到吸收层,同时作为电荷层对吸收层和倍增层的电场进行调节;位于波导两侧的倍增层,用于提供载流子雪崩倍增效应;位于倍增层两侧并与阴极电极形成欧姆接触的第一接触层;位于波导之上的吸收层,用于吸收光子并将其转化成为电子与空穴,以提供光电流;内嵌于吸收层上方并与阳极电极形成欧姆接触的第二接触层;与电源和第一接触层相连的阴极电极;与电源和第二接触层相连的阳极电极;位于波导末端的Bragg光栅,用于将波导末端出射光场进行反射。通过Bragg光栅与横向波导结合,使得器件响应度较高的同时减小Ge吸收层长度。 | ||
| 搜索关键词: | 一种 基于 bragg 光栅 横向 波导 结构 雪崩 光电 探测器 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





