[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202110334753.6 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113809069A | 公开（公告）日： | 2021-12-17 |
| 发明（设计）人： | 黄禹轩;蔡庆威;李介文;陈国基;程冠伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/06 | 分类号： | H01L27/06 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 王宇航;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本公开提供半导体装置的一些实施例。本公开依据一些实施例提供的半导体装置包含细长的半导体构件，细长的半导体构件沿着第一方向纵向延伸并且被隔离特征环绕。半导体装置还包含第一源极/漏极特征以及第二源极/漏极特征，前述特征位于细长半导体构件的顶部表面上方、垂直堆叠的通道构件，前述通道构件各沿着第一方向纵向延伸在第一源极/漏极特征以及第二源极/漏极特征之间、环绕在该垂直通道构件的栅极结构、设置在细长的半导体构件的底部表面之下的外延层、位于该细长半导体构件的硅化物层、以及设置在硅化物层上的导电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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