[发明专利]半导体装置及其形成方法在审
| 申请号： | 202110331630.7 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113097168A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 周俊;孙鹏;杨道虹 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/482 | 分类号： | H01L23/482;H01L23/485;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体装置及其形成方法。所述半导体装置中，在半导体基底上设置有重布线和覆盖部分所述重布线的钝化层，所述重布线中用于设置焊点连接的部分从所述钝化层中露出，并且，所述钝化层中具有应力释放孔，所述应力释放孔与所述重布线之间的横向距离大于0。所述应力释放孔便于及时释放在形成焊点连接的过程中在钝化层中产生的应力，可以降低焊点连接形成后重布线或者钝化层发生剥离或破裂的风险，有助于提高焊点连接工艺的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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