[发明专利]半导体装置及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括半导体基底、设置在所述半导体基底上的重布线以及覆盖部分所述重布线的钝化层，所述重布线中用于设置焊点连接的部分从所述钝化层中露出；所述钝化层中还具有应力释放孔，所述应力释放孔与所述重布线之间的横向距离大于0。

2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述应力释放孔贯穿所述钝化层。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述重布线中用于设置焊点连接的部分为焊垫，所述钝化层在所述重布线上设置有焊垫孔，所述焊垫孔露出所述焊垫，所述应力释放孔位于所述焊垫的周围。

4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，还包括焊料凸块，所述焊料凸块穿过所述钝化层中的焊垫孔与所述焊垫连接。

5.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述应力释放孔为多个。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述重布线的厚度为14500埃～80000埃。

7.如权利要求1至6任一项所述的半导体装置，其特征在于，所述重布线上开设有插销孔，所述钝化层填充所述插销孔。

8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于，还包括设置在所述半导体基底上的层间介质层，所述重布线通过所述层间介质层中的开口与所述半导体基底表面的接触垫电性连接；所述重布线的上表面高于所述层间介质层，或者，所述重布线嵌设于所述层间介质层中且上表面不高于所述层间介质层。

9.如权利要求8所述的半导体装置，其特征在于，所述插销孔露出部分所述层间介质层，所述钝化层与所述层间介质层通过所述插销孔连接。

10.一种半导体装置的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体基底；

在所述半导体基底上形成重布线，所述重布线包括用于设置焊点连接的部分；以及，

在所述半导体基底上形成钝化层，所述钝化层覆盖部分所述重布线，所述重布线中用于设置焊点连接的部分从所述钝化层中露出，所述钝化层中还形成有应力释放孔，所述应力释放孔与所述重布线之间的横向距离大于0。

11.如权利要求10所述的形成方法，其特征在于，在所述半导体基底上形成所述重布线的步骤中或者形成所述重布线之后，还在所述重布线上形成插销孔，然后再形成所述钝化层，其中，所述钝化层填充所述插销孔。