[发明专利]芯片老化测试电路和芯片老化测试系统在审

专利信息
申请号: 202110317639.2 申请日: 2021-03-24
公开(公告)号: CN113064052A 公开(公告)日: 2021-07-02
发明(设计)人: 孙成思;孙日欣;刘冲 申请(专利权)人: 深圳佰维存储科技股份有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28;G01R1/04
代理公司: 深圳市华勤知识产权代理事务所(普通合伙) 44426 代理人: 隆毅
地址: 518000 广东省深圳市南山区桃*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请公开一种芯片老化测试电路,包括电源模块、处理模块以及与处理模块电连接的至少一测试模块,处理模块具有测试信号接口组和用于连接上位机的信号输出接口;测试模块包括一用于放置待测芯片的芯片测试座,芯片测试座的供电输入引脚电连接电源模块,芯片测试座的信号输出引脚与测试信号接口组的一测试信号引脚对应电连接,输出芯片测试座上的待测芯片的芯片测试信号至处理模块;处理模块对测试信号接口组接收到的各个芯片测试座输出的芯片测试信号分别进行分析,并将分析得出的测试结果从信号输出接口发送给上位机。本申请还公开一种芯片老化测试系统。本申请提升了芯片测试的效率和准确率。
搜索关键词: 芯片 老化 测试 电路 系统
【主权项】:
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