[发明专利]一种电镀工艺在审
| 申请号： | 202110309118.2 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN113078101A | 公开（公告）日： | 2021-07-06 |
| 发明（设计）人： | 冯光建;黄雷;高群 | 申请（专利权）人： | 浙江集迈科微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;C25D7/12 |
| 代理公司： | 无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517 | 代理人： | 屠志力 |
| 地址： | 313100 浙江省湖州市长兴县经济技术开发*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种电镀工艺；S1、在第一硅片表面制作第一TSV盲孔，然后沉积第一钝化层和第一种子层，最后在所述第一TSV盲孔内进行电镀第一TSV铜柱；S2、在第二硅片的表面制作第二TSV盲孔，通过背部减薄和抛光使所述第二TSV盲孔底部露出，在第二硅片的表面进行热氧做TSV内部的第二钝化层；S3、用高温氧氧键合的方式把所述第一硅片和所述第二硅片做键合，在第二硅片上沉积第二种子层，电镀填充第二TSV铜柱，抛光得到超深TSV金属填充的硅片；本发明将两组硅片做永久键合，形成具有一定厚度的TSV的金属的深TSV结构，然后通过二次电镀工艺使深TSV结构填满。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电镀 工艺 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江集迈科微电子有限公司，未经浙江集迈科微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110309118.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：信号延长器
- 下一篇：显示装置及其驱动方法、以及移动终端
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
