[发明专利]一种电镀工艺

权利要求书

1.一种电镀工艺，其特征在于，包括如下步骤：

S1、在第一硅片（1）表面制作第一TSV盲孔（2），然后沉积第一钝化层（3）和第一种子层（4），最后在所述第一TSV盲孔（2）内进行电镀第一TSV铜柱（5），抛光所述第一硅片（1）的表面，完成所述第一硅片（1）表面金属材质移除；

S2、在第二硅片（6）的表面制作第二TSV盲孔（7），然后通过背部减薄和抛光使所述第二TSV盲孔（7）底部露出，最后完成通孔所述第二硅片（6）的制作，然后在所述第二硅片（6）的表面进行热氧做TSV内部的第二钝化层（8）；

S3、然后用高温氧氧键合的方式把所述第一硅片（1）和所述第二硅片（6）做键合，然后在第二硅片（6）上进行沉积第二种子层（9），电镀TSV使的所述第二TSV盲孔（7）内填充第二TSV铜柱（10），抛光得到超深TSV金属填充的硅片。

2.根据权利要求1所述的一种电镀工艺，其特征在于：所述S1中的第一TSV盲孔（2）的制备方法采用的是光刻或者干法刻蚀工艺，所述第一TSV盲孔（2）的孔直径范围在1um-1000um，深度在10um-1000um。

3.根据权利要求1所述的一种电镀工艺，其特征在于：所述S1中的第一钝化层（3）是在所述第一硅片（1）上方沉积氧化硅或者氮化硅等绝缘层，或者直接热氧化，所述第一钝化层（3）厚度范围在10nm-100um。

4.根据权利要求1所述的一种电镀工艺，其特征在于：所述S1中的第一种子层（4）是通过物理溅射、磁控溅射或者蒸镀工艺制作在所述第一钝化层（3）的一侧。

5.根据权利要求4所述的一种电镀工艺，其特征在于：所述S1中的第一种子层（4）的厚度范围在1nm-100um，所述第一种子层（4）设置有一层或者是若干层，所述第一种子层（4）采用的金属材质是钛、铜、铝、银、钯、金、铊、锡或者镍中的一种。

6.根据权利要求1所述的一种电镀工艺，其特征在于：所述S1中的第一TSV铜柱（5）在进行电镀的时候使铜金属充满所述第一TSV盲孔（2），且保持环境温度在200-500℃下密化。

7.根据权利要求1所述的一种电镀工艺，其特征在于：所述S2中的第二TSV盲孔（7）采用热氧或者PECVD技术做所述第二TSV盲孔（7）内部第二钝化层（8），所述第二钝化层（8）的厚度在100nm-10um。

8.根据权利要求1所述的一种电镀工艺，其特征在于：所述S3中第一硅片（1）和第二硅片（6）用高温氧氧键合的方式进行键合，然后沉积第二种子层（9）。

9.根据权利要求1所述的一种电镀工艺，其特征在于：所述第二硅片（6）的所述第二TSV盲孔（7）制备的方法和所述第一硅片（1）的所述第一TSV盲孔（2）制备的方法相同。

10.根据权利要求1所述的一种电镀工艺，其特征在于：所述第一硅片（1）、所述第二硅片（6）和硅片载片的类型包括4、6、8和12寸晶圆，所述晶圆厚度范围为200um-2000um，所述晶圆的材料包括玻璃、石英、碳化硅、氧化铝、环氧树脂和聚氨酯。