[发明专利]一种高质量快速大面积制备垂直石墨烯薄膜的方法有效
申请号: | 202110308003.1 | 申请日: | 2021-03-23 |
公开(公告)号: | CN113061871B | 公开(公告)日: | 2022-10-04 |
发明(设计)人: | 王志朋;李艺培;刘美;刘健 | 申请(专利权)人: | 江西师范大学 |
主分类号: | C23C16/26 | 分类号: | C23C16/26;C23C16/50;C01B32/186 |
代理公司: | 南昌贤达专利代理事务所(普通合伙) 36136 | 代理人: | 金一娴 |
地址: | 330000 *** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | 本发明涉及三维纳米碳材料制备技术领域,提供了一种高质量快速大面积制备垂直石墨烯薄膜的方法。本发明利用卷对卷动态合成方法,通过设置多温区分时分段加热,引导含碳材料中六元碳晶格的形核和碳化过程,使基材在收卷移动的过程中形成竖直生长且高度石墨化的垂直石墨烯薄膜,从而实现垂直石墨烯的高质量大面积快速制备。本发明的碳源种类不限,可以为含碳气体或固态含碳基材,适用范围广。本发明可显著提高垂直石墨烯的生产效率,所合成的垂直石墨烯缺陷致密并且均匀,在催化领域前景广阔。 | ||
搜索关键词: | 一种 质量 快速 大面积 制备 垂直 石墨 薄膜 方法 | ||
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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