[发明专利]发光二极管结构在审
| 申请号： | 202110307377.1 | 申请日： | 2021-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN115117213A | 公开（公告）日： | 2022-09-27 |
| 发明（设计）人： | 汪信全;蔡宗良;周秀玫;罗锦宏 | 申请（专利权）人： | 隆达电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/02;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本揭露提出一种发光二极管结构，包括基板、第一半导体层、发光层、第二半导体层、半导体接触层、第一导电层及第二导电层。第一半导体层设置于基板上，并具有第一厚度结构及第二厚度结构，且第一厚度结构的第一厚度大于第二厚度结构的第二厚度。发光层设置于第一厚度结构上。第二半导体层设置于发光层上，且第二半导体层的掺杂型态与第一半导体层不同。半导体接触层设置于第二厚度结构上，半导体接触层及发光层在基板的垂直投影不重叠也不接触，且半导体接触层的掺杂型态与第一半导体层相同。本揭露降低了顺向操作电压及元件废热，且提升输出功率并改善元件可靠度。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 结构 | ||
【主权项】：
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