[发明专利]发光二极管结构

权利要求书

1.一种发光二极管结构，其特征在于，包括：

一基板；

一第一半导体层，设置于该基板之上，该第一半导体层包括：

至少一第一厚度结构；以及

至少一第二厚度结构，其中该至少一第一厚度结构的至少一第一厚度大于该至少一第二厚度结构的至少一第二厚度；

至少一发光层，设置于该第一半导体层的该至少一第一厚度结构之上；

至少一第二半导体层，设置于该至少一发光层之上，该至少一第二半导体层的掺杂型态与该第一半导体层的掺杂型态相异；

至少一半导体接触层，设置于该第一半导体层的该至少一第二厚度结构之上，其中该至少一半导体接触层及该至少一发光层于该基板的垂直投影不重叠也不接触，该至少一半导体接触层的掺杂型态与该第一半导体层的掺杂型态相同；

至少一第一导电层，设置于该至少一半导体接触层之上；以及

至少一第二导电层，设置于该至少一第二半导体层之上。

2.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，还包括：

一绝缘层，该绝缘层至少覆盖该至少一第一厚度结构的一侧壁、该至少一第二厚度结构的一上表面、该至少一发光层的一侧壁、该至少一第二半导体层的一侧壁、该至少一半导体接触层的一侧壁及一上表面、该至少一第一导电层的一侧壁以及该至少一第二导电层的一侧壁及一上表面，并且该绝缘层具有至少一第一开孔及至少一第二开孔分别位于该至少一第一导电层以及该至少一第二导电层之上；以及

至少一第一导电垫及至少一第二导电垫，设置于该绝缘层上，且分别经由该至少一第一开孔及该至少一第二开孔电性连接该至少一第一导电层及该至少一第二导电层。

3.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该至少一半导体接触层包括Al_xGa_yIn_1-x-yN，其中0≤x,y≤1。

4.根据权利要求3所述的发光二极管结构，其特征在于，当x+y＝1时，该至少一半导体接触层的掺杂浓度大于1x10¹⁹/cm³。

5.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该至少一半导体接触层的一厚度介于1nm至500nm之间。

6.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该至少一半导体接触层的掺杂浓度高于该第一半导体层的掺杂浓度。

7.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该至少一半导体接触层包含多个子接触层，各该子接触层的掺杂浓度为相同或不同，各该子接触层的设置方式为依掺杂浓度高低依序堆叠或至少二种掺杂浓度交替堆叠。

8.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该至少一半导体接触层包含多个子接触层，所述多个子接触层包括Al_xGa_yIn_1-x-yN，0≤x,y≤1，其中，当各该子接触层的x+y＝1时，邻接该至少一第一导电层的该子接触层的掺杂浓度大于其它各该子接触层的掺杂浓度。

9.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该至少一半导体接触层包含多个子接触层，所述多个子接触层包括Al_xGa_yIn_1-x-yN，0≤x,y≤1，其中，邻接该至少一第一导电层的该子接触层为Ga_yIn_1-yN，0y1。

10.根据权利要求1所述的发光二极管结构，其特征在于，该至少一半导体接触层包含多个子接触层，各该子接触层的设置方式为依能隙高低依序堆叠或至少二种能隙交替堆叠。