[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110305662.X | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113206175B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;董彬忠;梅劲;张奕 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。在多量子阱层和AlGaN电子阻挡层之间增加复合层，复合层包括依次层叠在多量子阱层上的第一子层、第二子层与第三子层。第一子层中交替层叠的InN层与掺有p型杂质的GaN层，提高GaN层中空穴数量。第二子层包括交替层叠的SiN层与AlN层，提高复合层的质量的同时起到一定的阻挡电子的作用。最后通过生长包括AlGaN层的第三子层，复合层及复合层后的AlGaN电子阻挡层的质量均可以得到提高，进入多量子阱层内的空穴数量也可以得到提高，最终发光二极管的发光效率可以得到大幅度提高。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110305662.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
