[发明专利]发光二极管外延片及其制备方法有效
| 申请号： | 202110305662.X | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113206175B | 公开（公告）日： | 2023-10-13 |
| 发明（设计）人： | 洪威威;王倩;董彬忠;梅劲;张奕 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
1.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的n型GaN层、多量子阱层、复合层、AlGaN电子阻挡层与p型GaN层，
所述复合层包括依次层叠在所述多量子阱层上的第一子层、第二子层与第三子层，所述第一子层包括交替层叠的GaN层与InN层，所述GaN层中掺有p型杂质，所述第二子层包括交替层叠的SiN层与AlN层，所述第三子层包括AlGaN层。
2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一子层的厚度为20～200埃，所述第二子层的厚度为2～20埃，所述第三子层的厚度为10～100埃。
3.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述GaN层的厚度与所述InN层的厚度之比为10:1～100:1。
4.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述GaN层中掺杂元素为Mg，所述Mg的掺杂浓度为1×1020～1×1021cm-3。
5.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述SiN层的厚度与所述AlN层的厚度之比为1:1～1:10。
6.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述SiN层中掺有In元素，所述AlN层中掺有Si元素。
7.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第三子层中掺有Mg。
8.一种发光二极管外延片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
提供一衬底；
在所述衬底上生长n型GaN层；
在所述n型GaN层上生长多量子阱层；
在所述多量子阱层上生长复合层，所述复合层包括依次层叠在所述多量子阱层上的第一子层、第二子层与第三子层，所述第一子层包括交替层叠的GaN层与InN层，所述GaN层中掺有p型杂质，所述第二子层包括交替层叠的SiN层与AlN层，所述第三子层包括AlGaN层；
在所述复合层上生长AlGaN电子阻挡层；
在所述AlGaN电子阻挡层上生长p型GaN层。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第一子层的生长压力高于所述第三子层的生长压力，所述第三子层的生长压力高于所述第二子层的生长压力。
10.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述第一子层的生长压力为200～600torr，所述第二子层的生长压力为75～150torr，所述第三子层的生长压力为100～300torr。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电（浙江）有限公司，未经华灿光电（浙江）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110305662.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
