[发明专利]基于GaN HEMT器件的宽带数字移相器有效
| 申请号： | 202110303439.1 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN113162581B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 谢媛媛;吴洪江;赵子润;刘文杰;王向玮;刘如青;魏洪涛;李远鹏 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H03H11/16 | 分类号： | H03H11/16 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 付晓娣 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： |
本发明适用微波单片集成电路技术领域，提供了一种基于GaN HEMT器件的宽带数字移相器，该宽带数字移相器包括顺序级联的180°移相单元、90°移相单元、22.5°移相单元、5.625°移相单元、11.25°移相单元和45°移相单元；5.625°移相单元为优化的传输式移相器结构，11.25°移相单元和22.5°移相单元为单T型高低通滤波式移相器结构，45°移相单元、90°移相单元和180°移相单元为开关型高低通滤波式移相器结构；优化的传输式移相器结构包括：传输式移相器结构、GaN HEMT开关M |
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| 搜索关键词： | 基于 gan hemt 器件 宽带 数字 移相器 | ||
【主权项】：
暂无信息
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