[发明专利]基于GaN HEMT器件的宽带数字移相器

权利要求书

1.一种基于GaN HEMT器件的宽带数字移相器，其特征在于，包括：顺序级联的180°移相单元、90°移相单元、22.5°移相单元、5.625°移相单元、11.25°移相单元和45°移相单元；

所述5.625°移相单元为优化的传输式移相器结构，所述11.25°移相单元和所述22.5°移相单元为单T型高低通滤波式移相器结构，所述45°移相单元、所述90°移相单元和所述180°移相单元为开关型高低通滤波式移相器结构；

所述优化的传输式移相器结构，包括：传输式移相器结构、GaN HEMT开关M₄和隔离电阻R_g4；

将所述传输式移相器结构中电容C₁和电阻R₁的并联连接改为串联连接，所述GaN HEMT开关M₄的第一端和第二端与所述电容C₁和所述电阻R₁构成的串联电路并联连接，所述GaNHEMT开关M₄的第三端与所述隔离电阻R_g4的一端连接，所述隔离电阻R_g4的另一端作为所述优化的传输式移相器结构的同向控制端，其中，所述GaN HEMT开关M₄的第一端为源极/漏极，所述GaN HEMT开关M₄的第二端为漏极/源极，所述GaN HEMT开关M₄的第三端为栅极；

所述传输式移相器结构，包括：微带线TL₁、微带线TL₂、GaN HEMT开关M₁、GaN HEMT开关M₂、GaN HEMT开关M₃、隔离电阻R_g1、隔离电阻R_g2、隔离电阻R_g3、电容C₁₇和电容C₁₈；

所述微带线TL₁的一端作为所述传输式移相器结构的射频输入端，所述微带线TL₁的另一端与所述电容C₁和所述电阻R₁构成的第一并联电路的一端连接，所述第一并联电路的另一端连接所述微带线TL₂的一端，所述微带线TL₂的另一端作为所述传输式移相器结构的射频输出端；

所述GaN HEMT开关M₁的第一端和第二端与所述第一并联电路并联连接，构成第二并联电路，所述GaN HEMT开关M₁的第三端与所述隔离电阻R_g1的一端连接，所述隔离电阻R_g1的另一端作为所述传输式移相器结构的同向控制端；

所述隔离电阻R_g2的一端作为所述传输式移相器结构的同向控制端，所述隔离电阻R_g2的另一端连接所述GaN HEMT开关M₂的第三端，所述GaN HEMT开关M₂的第一端连接所述第二并联电路的一端，所述GaN HEMT开关M₂的第二端连接所述电容C₁₇的一端，所述电容C₁₇的另一端接地；

所述隔离电阻R_g3的一端作为所述传输式移相器结构的同向控制端，所述隔离电阻R_g3的另一端连接所述GaN HEMT开关M₃的第三端，所述GaN HEMT开关M₃的第一端连接所述第二并联电路的另一端，所述GaN HEMT开关M₃的第二端连接所述电容C₁₈的一端，所述电容C₁₈的另一端接地；

所述GaN HEMT开关M₁的第一端、所述GaN HEMT开关M₂的第一端、所述GaN HEMT开关M₃的第一端为源极/漏极，所述GaN HEMT开关M₁的第二端、所述GaN HEMT开关M₂的第二端、所述GaN HEMT开关M₃的第二端为漏极/源极，所述GaN HEMT开关M₁的第三端、所述GaN HEMT开关M₂的第三端、所述GaN HEMT开关M₃的第三端为栅极。